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為什么要選擇400V SiC MOSFET?


400V CoolSiC?MOSFET具有超低開關(guān)損耗和導(dǎo)通電阻,可有效提高系統(tǒng)效率和功率密度,同時(shí)提供了非常具有吸引力的價(jià)格定位。非常適合400V RMS AC 560VDC_LINK電壓的3級(jí)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和288VDC_LINK電池/總線電壓的2級(jí)拓?fù)涞男枨蟆?br>

了解英飛凌400V CoolSiC? MOSFET


CoolSiC? MOSFET 400V G2將高堅(jiān)固性與超低開關(guān)損耗和導(dǎo)通電阻結(jié)合在一起,同時(shí)改善了系統(tǒng)成本。400V SiC MOSFET可在2電平和3電平硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)渲刑峁┏錾墓β拭芏群拖到y(tǒng)效率。目標(biāo)應(yīng)用為人工智能服務(wù)器PSU、SMPS、電機(jī)控制、可再生能源和儲(chǔ)能以及D類放大器中的功率轉(zhuǎn)換。
英飛凌官網(wǎng)了解400V CoolSiC?

主要特征

? 與650V SiC MOSFET相比,F(xiàn)OM更好 ? 低Qfr值的快速換流二極管 ? RDS(on)溫度系數(shù)小 ? 柵極閾值電壓VGS(th)=4.5V

? 可以單電源驅(qū)動(dòng)VGSoff=0V ? 100%經(jīng)過雪崩測試 ? 開關(guān)速度可控性高

? 高dV/dt運(yùn)行期間的低過沖 ? .XT互聯(lián)技術(shù) ? 一流的熱性能

可以根據(jù)應(yīng)用需求進(jìn)行搭配選擇

參數(shù)表

可選擇的英飛凌400V CoolSiC™ MOSFET第二代器件

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關(guān)于英飛凌

半導(dǎo)體對(duì)于應(yīng)對(duì)當(dāng)今時(shí)代的能源挑戰(zhàn)和塑造數(shù)字化轉(zhuǎn)型至關(guān)重要。正因如此,英飛凌致力于積極推動(dòng)低碳化和數(shù)字化進(jìn)程。作為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者,我們助力打造引發(fā)行業(yè)變革的解決方案,以實(shí)現(xiàn)綠色高效的能源、環(huán)保安全的出行以及智能安全的物聯(lián)網(wǎng)。我們讓生活更加便利、安全和環(huán)保。攜手我們的客戶和合作伙伴,共同創(chuàng)造更加美好的未來。
英飛凌設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)并銷售范圍廣泛的半導(dǎo)體和基于半導(dǎo)體的解決方案,聚焦汽車、工業(yè)和消費(fèi)電子等行業(yè)的關(guān)鍵市場。其產(chǎn)品多種多樣,從標(biāo)準(zhǔn)元器件,到面向數(shù)字、模擬和混合信號(hào)應(yīng)用的特殊元器件,再到專為客戶打造的特定解決方案,一直到相應(yīng)的軟件,應(yīng)有盡有。

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